IT之家 6 月 11 日消息，韩媒 ETNews 当地时间昨日报道称中银两融，三星电子在 DRAM 内存领域率先导入干式光刻胶 (Dry PR) 技术，将应用于到即将正式推出的第 6 代 10 纳米级工艺 (1c nm) 中。
消息指三星电子已完成了干式光刻胶涂覆、显影等工序所需的多台泛林集团 (Lam Research) 所需设备中银两融。
不同于使用溶液旋涂、需要溶剂冲洗的传统湿式光刻胶，干式光刻胶直接沉积到晶圆表面，这避免了光刻胶去除过程中液体表面张力影响图案完整性的问题。此外干式光刻胶也具有更高的曝光效率、能实现更为精细的线宽。
三星电子计划将 1c nm DRAM 应用在其 HBM4 产品中，干式光刻胶对图案质量的提升有望成为提高 HBM4 堆栈信号完整性与可靠性的物理起点。
IT之家注意到中银两融，泛林集团今年 1 月 29 日已宣布其干式光刻胶已得到一家领先存储器制造商在最先进 DRAM 工艺上的导入。
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